Схема принципиальная Импульсный блок питания устройств памяти

Стабилизатор может работать и при токе нагрузки, меньшем указанного, однако при этом уровень пульсаций может превысить 0,25 В. Это происходит из-за уменьшения частоты преобразования стабилизатора. Уменьшить пульсации можно заменой конденсаторов фильтра С4-С6 другими, с большей емкостью. К увеличению уровня пульсаций приводит и повышение напряжения питания стабилизатора.
При подаче питания на блок и наличии напряжения - 5 В транзисторы VT1, VT2 и VT3 закрыты, поэтому мультивибратор начинает работать на некоторой частоте. Импульсы мультивибратора фиксированной длительности, усиленные по току транзисторами VT6 и VT7, открывают ключевые транзисторы VT8, VT9, и через них начинает протекать ток в обмотку I импульсного трансформатора Т1. После закрывания ключевых транзисторов напряжение самоиндукции трансформатора, снимаемое с обмоток II и III, через диоды VD2 и VD3 заряжает соответственно конденсаторы C3 и C4.
В случае повышения напряжения на конденсаторе C6 более 5 В открываются транзисторы VT1 и VT2, что приводит к увеличению скважности импульсов мультивибратора и, следовательно, уменьшению выходного напряжени блока.
Обмотка II импульсного трансформатора совмесно с диодом VD2 и конденсатором C3 образуют источник вольтодобавки - постоянного напряжения 2…3 В, которое не позволяет транзистору VT8 входить в насыщение и тем самым увеличивает быстродействие ключевой ступени и КПД устройства в целом.
Узел блокировки, выключающий питание устройства памяти в случае пропадания напряжения -5 В, образуют транзистор VT3 я резисторы R5, R6. При пропадании этого напряжения тут же полностью открывается транзистор VT3 и малым сопротивлением шунтирует цепь базы транзистора VT4, блокируя работу мультивибратора стабилизатора.
Постоянные резисторы блока - МЛТ, подстроечный R1 - СП5-16; конденсаторы - КМ-5, КМ-6. К50-6. Транзистор VT9 и диод VD3 установлены на одной общей медной теплоотводящей пластике размерами 135х50х2 мм через слюдяные прокладки.
Импульсный трансформатор Т1 намотан на броневом магнитопроводе Б36 из феррита 2000НМ с бумажной прокладкой толщиной 0,2 мм между чашками. Обмотки I и III выполнены жгутом из 10 проводов ПЭВ-2 0,2 и содержат соответственно 10 и 6 витков. Обмотка II - 3 витка провода ПЭВ-2 0,2.
Дроссель L1 намотан на кольце типоразмера К20х10х6 из феррита 2000ММ. Обмотка содержит 20 витков провода ПЭВ-2 0,5.

В прикрепленном файле печатная плата в формате TIFF 1024 x 478, 300 dpi. Скачайте прикрепление к "Импульсный блок питания устройств памяти"

Похожие материалы: